GIA香港實驗室檢出CVD的大顆粒合成鉆石

       在過去的十年中， CVD（化學氣相沉積）法鉆石合成技術日趨成熟且進展迅速。大于3 克拉的無色和近乎無色的 CVD 合成鉆石以前也曾經被報道過。

       以前已經報道過， GIA 香港鑒定實驗室最近檢測出了兩顆大顆粒的高溫高壓法合成鉆石，這顯示了這兩種合成技術的并駕齊驅。下圖所示的這些樣品是由俄羅斯的“New Diamond Technology （新鉆石技術）”公司生產的。

這兩顆大顆粒的合成鉆石是由俄羅斯的“New Diamond Technology (新鉆石技術)”公司用高溫高壓方式合成的。左側的 4.30 克拉鉆石具有 D 色和 SI1 凈度。右側 5.11 克拉的鉆石具有 K 色和 I1 凈度。

       第一顆是 4.30 克拉的墊型鉆石，具有 D 色和 SI1凈度等級，有三小簇金屬內含物。另一顆重5.11 克拉，是改良的矩形明亮型切磨。它呈 K 色，凈度等級為 I1，有少量金屬內含物，在腰棱部位有兩條小裂隙。這兩顆鉆石對長波紫外線輻射都沒有任何反應。當它們暴露于短波紫外線下時，可以觀察到中等到強的黃綠色熒光。這兩顆鉆石都呈現了持續超過 20 秒的較強黃綠色磷光。一個值得注意的特點是它們沒有針點內含物，這種內含物在高溫高壓合成的鉆石中非常常見，往往分布在整個晶體中。

       紅外吸收光譜證實這些是 II 型鉆石，在 1350 至 1000 cm-1沒有檢測到氮雜質的吸收帶。一個非常弱的 2800 cm-1吸收峰是由置換元素硼造成的。D 色合成鉆石（7±1 ppb 與1.2±0.2ppb）中有較高的硼濃度。在液氮環境下采集的由不同激光激發的發光光譜顯示出由硅空位[Si-V]-1 缺陷造成的736.6/736.9 nm 的雙峰，以及由鎳元素相關缺陷處發生出882.7/884.4 nm 的雙峰。從氮空位[N-V] 引起的非常弱的575.0和637.0 nm 雙峰只有在K色樣品中才能檢測到。除了金屬包體，高溫高壓合成鉆石的另一個重要的識別特征是熒光反應。在2個樣品中都能觀察到高溫高壓合成鉆石的典型熒光圖案。

       這兩顆鉆石在送檢的時候就已經聲明是高溫高壓合成品。使用GIA鉆石檢查設備進行測試時，設備提示兩者都需要進一步的檢測。寶石學特征的觀察和光譜特性證實它們是在高溫高壓下合成的。

       通過檢測這兩顆高溫高壓合成鉆石，特別是它們是GIA到目前為止檢出的最大顆粒的合成鉆石，這讓我們有機會了解到這項技術最近所取得的進步。除了把它們作為寶石材料使用外，這種尺寸的晶體具有許多潛在的工業用途。